IPA80R650CEXKSA2 دیتاشیت

IPA80R650CEXKSA2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPA80R650CEXKSA2
حجم فایل 33.181 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت IPA80R650CEXKSA2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1100pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@470uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@5.1A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه